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压敏电阻的物理特性：

ＺｎＯ　压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像　ＺｎＯ　微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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静态电容量（PF）

静态电容量指压敏电阻器本身固有的电容容量。

响应时间τ

IEEE定义的压敏电阻的响应时间τ并不是压敏电阻材料本身的特性，而是由测试波形、引线、印制电路版的布线方式、外部测试连接线，以及它们所构成的磁环路等外部原因造成的，根据这一定义，对8/20 μs标准雷电流波或TS>8 μs的电流波，压敏电阻的响应时间τ＝0。

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压敏电阻冲击电流作用下的老化机理

冲击电流作用下主要是热老化。能量迅速注入电阻片，温度升高很多，使离子的能量大为增加，迁移力增大，使反偏压侧的Zni，Bi3+等向晶界迁移。

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